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看一看:浙江高等教育自学考试线性电子电路试题

发布时间:2021-11-18 04:34:35 阅读: 来源:坩埚厂家

课程代码:02340 1、填空题(每小题2分,共20分)1.半导体中,由浓度差引发非平衡载流子运动,构成______电流,由外电场引发载流子运动,构成______电流。2.PN结具有电容特性,正偏时以______电容为主,反偏时以______电容为主。3.晶体3极管的ICBO是指______极开路的情况下,______的电流。4.已知某3极管VBE=0.7V,VCE=0.3V,则该管工作在______区,是由______材料制造的。5.MOS管作为开关利用时,其工作状态应在______和______之间转换。6.就VGS而言,增强型MOS管是______极性的,而耗尽型MOS管是______极性的。7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是______和______.8.放大器输入信号为单1频率正弦波,输出为非正弦波,这类失真称为______失真,这时候候输出信号中将产生______频率成份。9.反馈量来自放大电路的输出电压,而又以电流信号的情势迭加到放大电路的输入端,称此种类型的负反馈是______.这类反馈可以使放大电路的输入电阻______.10.设计1个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入______负反馈,若要稳定输出电流应引入______负反馈。2、单项选择题(在每小题的4个备选答案中,选出1个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共20分)1.当半导体2极管的反向击穿电压小于6V,主要产生何种击穿现象 ( )A.雪崩击穿 B.齐纳击穿C.热击穿 D.碰撞击穿2.1个硅2极管在正向电压VD=0.6V时,正向电流ID为10mA,若VD增大到0.66V(即增加10%),则电流ID( )。A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到本来的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.如果将放大电路中的晶体3极管的基极和发射极短路,则( )。A.管子深饱和 B.发射结反偏C.管子截止 D.集电结烧坏4.测得某放大电路中的3极管3个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V,则可判断该管的材料和类型是( )。A.硅、NPN B.硅、PNPC拆迁补偿能凭村的过户证明吗.锗、NPN D.锗、PNP5.场效应管是1种( )。A.电压控制器件 B.电流控制器件C拆迁补偿方案标准.双极型器件 D.少子工作的器件6.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V,则该管不多是1个( )。A.P沟道结型管 B.N沟道结型管C.P沟道耗尽型MOS管 D.N沟道增强型MOS管7.需设计1只单级晶体管放大器,要求输入电阻很大,输出电阻小,请选择( )。A.共射放大 B.共基放大C.共集放大 D.共源放大8.电容耦合放大电路( )。A.只能放大直流信号B.只能放大缓变信号C.只能放大交变信号D.既能放大直流信号又能放大交换信号9.要得到1个由电流控制的电压源,应选( )负反馈情势。A.电压串联 B.电压并联C.电流串联 D.电流并联10.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数,与基本放大器的放大倍数无关,但基本放大器( )。A.可以去掉 B.不能去掉 C.不1定 D.其实不重要3、简答题(每小题5分,共15分)1.已知晶体3极管的静态工作电流ICQ=1mA,|VA|=100V,β=100, =100Ω,试画出低频小信号混合π型等效电路,并求出gm,rb′e 、rce的值。2.电路如图3(2)所示,设MOS管的 Cox(w/l)=40μA/V2,VGS(th)=⑴V,试求V0和ID的值。3.1电流源电路如图3(3)所示,设T1,T2管参数相同,β=100,VBE=-0.6V.若要使IC2=1mA,VC2≤12V,且R1=R2,试肯定电阻R1、R2的最大允许值。4、分析计算题(每小题9分,共45分)1.放大电路如图4(1)所示,已知3极管的β=80,rbe=2.2kΩ,求(1)放大器的输入电阻Ri;(2)从射极输出时的Au2和R02;(3)从集电极输出时的Au1和R01.2.放大电路如图4(2)所示,设各管的β=100,VBE=0.7V, =200Ω。试(1)求T2管的静态工作点(ICQ2、VCQ2);(2)估算放大器的电压增益Av;(3)求放大器输出电阻R0.3.放大电路如图4(3)所示,所有电容对交换视作短路,(1)判断级间反馈的类型和极性。(2)计算在深负反馈条件下,源电压增益Avfs=v0/vS的表达式。资讯分类行业动态帮助文档展会专题报道5金人物商家文章